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          晶片清洗用超純水機

          晶片清洗用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PPb級,產水水質要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。

          晶片清洗用超純水機概述:

          晶片清洗用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PPb級,產水水質要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。


          晶片清洗用超純水機工藝流程:

          ①反滲透純水設備

          RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力,使水分子和離子態的礦物質元素通過一層反滲透膜,而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物以及細菌、病毒等無法透過反滲透膜,從而透過的純水和無法透過的濃縮水嚴格的分開;

          反滲透膜上的孔徑只有0.0001um,而病毒的直徑一般有0.02-0.4um,普通細菌的直徑有0.4-1um。 反滲透純水機的正常工作有賴于一定的壓力,這個壓力大于滲透膜的滲透壓,一般是2.8公斤/平方厘米。

          在水壓或水壓不穩定的地區,我們建議您一定要購買有前段增壓泵的反滲透純水系統,它的工作壓力可達0.3-0.6Mpa,不受自來水壓限制,制水效率高,速度快、排濃縮水少。

          反滲透有效的除鹽技術,一級反滲透設備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此純水系統產水品質穩定,是目前比較通用的純水生產設備,生產品質基本滿足FPC/PCB生產需求。

          ②EDI電除鹽超純水系統

          連續電除鹽(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization),是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子,同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下,分別透過陰陽離子交換膜而被除去的過程。

          這一過程離子交換樹脂是電連續再生的,因此不需要使用酸和堿對之再生。

          這種新技術可以替代傳統的離子交換裝置,生產出高達18MΩ.CM的超純水。整個工藝流程前面的部分和常規的水處理工藝沒有很大區別,一般是先經過預處理,然后加藥殺毒,再經過RO反滲透系統,再使用EDI設備制取超純水。


          晶片清洗用超純水機優點:

          半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水,基板晶圓片檢測清洗用水,中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗,后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水,中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水,后段檢測封裝用水。同時,半導體行業對TOC的要求較高。


          晶片清洗用超純水機特點介紹:

          由于超純水設備的工藝是根據不同的入水水質和出水要求而設計的,針對不同的原水水質特點而設計超純水設備方案才是經濟有效的方案,同時也是出水水質長期穩定達到要求的保證。超純水設備由于用途不一樣,會有不同的制造流程,或有的把幾種工藝結合起來讓水質達到預期的效果,按類別可大至分為以下幾種,比較常用的預處理系統,反滲透系統, EDI電除鹽超純水系統,精處理系統等。


          EDI電除鹽超純水系統原理及特點:

          (1)出水水質具有穩定性

          (2)能連續生產出符合用戶要求的超純水

          (3)模塊化生產,并可實現全自動控制

          (4)不需酸堿再生,無污水排放

          (5)不會因再生而停機

          (6)無需再生設備和化學藥品儲運

          (7)設備結構緊湊,占地面積小

          (8)運行成本和維修成本低

          (9)運行操作簡單,勞動強度低

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